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2026-08-01

跟风学合肥，行不通了

2026年7月，国产DRAM存储芯片龙头长鑫科技登陆科创板，上市首日暴涨465%。上市前夕，其股东合肥产投刚刚完成一笔新的布局，一支认缴规模50亿元的“合肥产投兴质新域”基金悄然成立，执行事务合伙人及主要出资方均来自合肥产投体系。坐收IPO万亿账面浮盈之际，合肥国资迅速装填下一轮产业弹药。这很“合肥”。从京东方到蔚来再到长鑫，这个长期徘徊在长三角门口的省会城市，又一次让外界叹服。无数中小城市，都想

2026-08-01

嵌入式存储芯片A股：技术壁垒与资本博弈的深层逻辑

资本市场的“隐形战场”：嵌入式存储芯片的A股生态很多人以为，A股市场对嵌入式存储芯片的估值仅基于产能规模与毛利率，其实不然。在半导体行业周期波动中，资本更关注的是技术迭代的“时间窗口”与专利布局的“护城河”。以长江存储为例，其3D NAND闪存技术突破后，A股相关概念股的估值模型迅速从“成本导向”转向“技术溢价”，这背后是资本对存储密度、堆叠层数、I/O速度等硬性指标的重新定价。技术壁垒的底层逻辑

2026-08-01

美股半导体、存储芯片股，全线大涨

7月31日晚间，美股三大指数再度高开，截至发稿，道指涨0.34%，纳斯达克指数涨超1%，标普500指数涨0.68%。费城半导体指数盘初猛拉涨近5%，半导体、存储芯片股全线大涨，迈威尔科技涨超8%，西部数据涨超7%，希捷科技、ARM、英特尔均涨超6%，SK海力士、美光科技涨超5%，闪迪、AMD涨逾4%。苹果股价大跌，现跌幅扩大至超9%，公司Q4营收指引不及预期。此外，科技巨头均大幅走高，亚马逊涨超1

2026-08-01

底部近在咫尺

主持人：本周市场分化加剧，投资者普遍关心的话题是，双创本轮调整的底部在哪里？海风若雨萧萧：7月市场振幅之大，到了十年一遇的地步，尽管上证力保3750点关键支撑位不失，但是创业板指数的月度跌幅一度高达27%，已经超过了2016年“熔断月”的历史最大月度跌幅。还记得两周前跟你聊过，帝国大厦从底下跑到屋顶，要一个钟头，从屋顶跳下来，只要八点八秒的箴言吧。目前观察创业板指数也已经回到2960点—3400点

2026-08-01

这个夏天意外成了装机链条上“维修端”旺季 今年暑期为何电脑价格涨起来？

消费者在选购电脑文/图 羊城晚报记者 潘亮AI算力抢产能、显卡封仓、消费级存储芯片供应紧张……在这个暑期，传统的装机旺季直接变成了玩家和学生口中的“最贵装机季”。当上游晶圆产能被AI高带宽显存（HBM）大口吞下，留给游戏显卡和固态硬盘的产能快速萎缩，从工厂封仓到渠道惜售，从报价单失效到二手市场意外升温，一条清晰的涨价链条正在华强北和线上平台开启，导致普通用户的“装机自由”被悄然剥夺。显卡封仓涨声响

2026-08-01

深夜，存储芯片集体大跳水，苹果也“崩了”

大家好啊，希望8月A股对咱们股民、基民好一点！今晚美股存储芯片板块上演高开低走、大跳水行情。一起看看怎么回事。7月31日深夜，美股三大指数微涨，道指呈现深“V”走势，纳指高开1%之后跳水，标普500指数微涨。科技股更为集中的纳斯达克100指数，开盘一度大涨近2%，截至发稿已转跌。AI硬件股的大本营，费城半导体指数高开5%，随后震荡跳水，几乎抹去了所有涨幅。存储芯片板块开盘集体暴涨，随后跳水。苹果股

2026-08-01

西安紫光国芯取得三维堆叠芯片相关专利，时序调控保障三维堆叠芯片正常运行

8月1日消息，国家知识产权局信息显示，西安紫光国芯半导体股份有限公司申请一项名为“一种三维堆叠芯片及时序控制方法”的专利，授权公告号CN117219138B，授权公告日为2026年7月31日。申请公布号为CN117219138A，申请号为CN202210624343.X，申请公布日期为2026年7月31日，申请日期为2022年6月2日，发明人李乾男、张衍芳、王棋，专利代理机构北京众达德权知识产

2026-08-01

市值问鼎！山东国资耐心资本投资A股新王长鑫科技

（来源：山东国资报道） 本刊记者 巩聪聪 / 通讯员 张丹丹近日，由山东省新动能基金管理有限公司（以下简称“新动能基金公司”）管理的山东省政府投资基金投资企业长鑫科技（688825）在上海证券交易所科创板上市。上市首日，长鑫科技开盘报49.50元/股，较发行价8.66元大涨471.59%，总市值突破3.31万亿元，超越工商银行成为A股总市值第一。至此，山东省政府投资基金支持上市企业数量达到1

2026-08-01

东芝存储芯片生产：技术壁垒与全球布局的底层逻辑

东芝存储芯片生产：技术壁垒与全球布局的底层逻辑很多人以为，存储芯片生产的核心竞争力仅在于制程工艺的纳米级突破，其实不然。以东芝（现铠侠）为例，其真正的技术壁垒在于3D NAND堆叠架构中的电荷捕获层（Charge Trap Layer）材料优化——这一环节直接决定了数据保持周期与写入寿命的平衡。根据公开资料，东芝在1987年发明NAND闪存时，采用的就是浮栅（Floating Gate）结构，但到