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2024-11-01
今日科普|泸州存储芯片产业发展
泸州航空航天产业园区作为推动地方经济发展的重要平台，近年来在存储芯片领域布局深远。2024年，园区管委会与深圳创久科技有限公司正式签订了存储芯片封装测试智能制造项目投资协议。该项目总投资约10亿元，一期投资3.5亿元，其中设备投资约2.7亿元。该项目的实施，不仅填补了泸州在存储芯片封装测试领域的空白(bái)，还(hái)立(lì)足(zú)于(yú)产(chǎn)业(yè)链(liàn)的(de
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2024-11-01
一加5T存储芯片更换话题
存储芯(xīn)片是智能手机的核心部件之一，它不仅决定了手机能存储多少数据（如照片、视频、应用程序等），还直接影响到手机的运行速度和响应时间。一加(jiā)5T，作(zuò)为(wèi)一(yī)加(jiā)公(gōng)司(sī)于(yú)2024年(nián)发(fā)布的一款旗舰手机，原配搭载了UFS 2.1标准的🍌存储芯片，提供64GB或128GB两种存储容量选项。UFS 2.1标
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2024-10-31
三维存储芯片技术图解
三维存储芯片技术的核心在于其堆叠技术。新存科(kē)技(jì)（武(wǔ)汉(hàn)）有(yǒu)限(xiàn)责(zé)任(rèn)公(gōng)司(sī)自(zì)主(zhǔ)研(yán)发的“NM101”三维存储器芯片就是一个典型的例子。这款芯(xīn)片(piàn)采(cǎi)用(yòng)了(le)创新的三维堆叠技术，基于新型材料电阻变化的原理，在单颗芯片上集成了百亿数量的非易失性存储
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2024-10-31
今日科普|中国存储芯片发展动态
近年来，中国在硅光子学芯片领域取得了里程碑式的进展。湖北九峰山实验室成功点亮了集成到硅基芯片(piàn)内(nèi)部(bù)的(de)激(jī)光光源，这是国内首次实现这一技术突破。这一成果通过自研异质集成技术，在8寸SOI晶圆内部完成了磷化铟激光器的工(gōng)艺(yì)集(jí)成(chéng)，被(bèi)业(yè)内(nèi)称(chēng)为(wèi)“芯(xīn)片出光”。该技术利
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2024-10-31
今日科普|存储芯片连接状态
存(cún)储(chǔ)芯(xīn)片(piàn)的(de)连(lián)接(jiē)状(zhuàng)态(tài)主(zhǔ)要(yào)依(yī)赖(lài)于(yú)其(qí)物(wù)理(lǐ)连(lián)接(jiē)和(hé)逻(luó)辑(ji)连(lián)接(jiē)两(liǎng)个(gè)方(fāng)面(miàn)。物(wù)理(lǐ)连(lián)接(jiē)涉(shè)
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2024-10-31
今日科普|存储芯片RL66特性探讨
RL66是一款存储器芯片，其存储容量可以达到4K。这一数字表明，RL66在嵌入式系统应用中能够提供足够的存储空间，满足小型设备和系统的数据存储需求。从类型上看，RL66属于EEPROM（电可擦可编程只读存储器）类型，这种存储器具有非易失性，即断电后数据不会丢失，因此广泛应用于需要长期保存数据的场合。二、存算一体技术的融合随着存算一体技术的快速发展，RL66这类存储芯片也在逐步融合计算功能，以提升数
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2024-10-30
存储芯片电压参数详解
存储芯片中的电压参数多种多样，其中VDD、VDDQ和VPP是最为核心的几个。VDD通常指的是北桥芯片或存储芯片的输入缓冲和核心逻辑的供电电压。在DRAM（动态随机存取存储器）中，VDD对于确保数据的稳定存储和快速读取至关重要。例如，在DDR4内存(cún)中，VDD电压的稳定供应是确保(bǎo)内(nèi)存(cún)模(mó)块(kuài)正(zhèng)常(cháng)运行的基础。VDDQ则是
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2024-10-30
今日科普|存储芯片M标应用探讨
近年来，存储芯片市场经历了显著的波动。据WSTS统计，2024年全球存储芯片市场规模约1334亿美元，约占整个集成电路市场份额的23%。然而，受智能手机、PC等消费电子行业市场饱和、换机周期加长等因素的影响，2024年下半年以来，存储芯片市场持续下滑。Wind数据显示，截至2024年2月17日，DRAM 16GB DDR4现货均价月环比下跌10.87%，8GB DDR4现货均价月环比下跌6.86%
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2024-10-30
存储芯片地址线作用
地址线的主要功能是传输地址信息，确定数据在存储芯片中的存储位置。在计算机系统中，CPU或外部设备通过地址线将地址信息发送到存储芯片，以(yǐ)便(biàn)读(dú)取(qǔ)或(huò)写入(rù)数(shù)据(jù)。地(de)址(zhǐ)线(xiàn)是(shì)单向的，通常从CPU或I/O设备的控制器指向存储器。例如，如果存储芯片有20根地址线，那么它就能访问🔑2^20个存储单元
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