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2026-07-21

7月21日美股成交额前20：苹果涨价动摇核心用户升级意愿

周一美股成交额第1名美光科技收高1.94%，成交369.63亿美元。分析师指出，存储芯片行业供需博弈加剧，扩产与AI需求拉锯引发周期担忧。 近期全球主要存储芯片企业股价大幅回调，三星、SK海力士、美光跌幅均超30%，反映出市场对行业再度陷入产能过剩的深切忧虑。尽管AI数据中心对HBM等高端存储需求强劲，但三大巨头已公布巨额扩产计划——SK海力士拟投1100万亿韩元、三星电子投2100万亿韩元

2026-07-21

绝地反击！亚太AI存储暴力回血

一轮恐慌后，全球AI科技开始收复失地。周二，亚太芯片存储强势回血。日韩股市率先反弹，韩股又涨到熔断，存储行情火速升温。韩国综合指数涨超4%，KOSPI 200指数上涨超5%，韩国交易所对韩国KOSPI指数启动程序式暂停交易。韩股“存储双雄”SK海力士涨近4%，三星电子涨超5%。日经225指数涨幅扩大约2%，日股存储巨头铠侠涨近12%。台湾加权指数高开高走，涨幅扩大至逾3%。港股主要指数表现稍显疲软

2026-07-21

连续5个跌停！这个存储芯片厂怎么了？

德明利今日盘中再度封跌停板，连续第五日跌停，股价报434.6元，创4月10日以来新低，且较6月26日的最高价(980元)回撤55.65%，总市值跌破1000亿元。到底怎么回事？消息面上，德明利此轮下跌的直接导火索是中保业绩预告。公司此前公告，预计2026年上半年营业收入为160亿-180亿元，同比增长289.39%-338.06%；预计上半年归母净利润为57亿-65亿元，上年同期亏损1.18亿元。

2026-07-21

三星电子扩大与英伟达NAND供应合作，加速V9、V10闪存布局

7月21日消息，三星电子正扩大与英伟达在NAND闪存领域的合作，在此前已开展DRAM、高带宽内存（HBM）及晶圆代工合作的基础上，进一步深化存储芯片供应关系。据报道，三星已开始量产第十代V-NAND（V10）并向英伟达供货，同时扩大第九代V-NAND（V9）产能，并推进第十一代500层级V-NAND（V11）开发。据悉，三星目前已具备月产超过10万片V-NAND的产能，其中约60%产能分配给V9产

2026-07-21

美股期指集体拉升！存储板块盘前走高，闪迪涨超8%

【导读】美股存储板块盘前走高，闪迪涨超8%中国基金报记者 李智7月21日美股盘前，美股三大期指集体拉升，纳斯达克指数期货涨1.37%，道琼斯指数期货涨0.39%，标普500指数期货涨0.55%。美股半导体、存储芯片、光通信概念股盘前普涨，闪迪涨超8%，SK海力士、迈威尔科技涨超7%，美光科技、西部数据、希捷科技均涨超5%。台积电美股盘前涨3.75%。消息面上，据报道，台积电拟于2027年将先进制程

2026-07-21

比内存更快见顶 SSD硬盘明年不缺了：电脑手机松一口气

快科技7月21日消息，在本轮存储芯片上涨周期中，内存价格猛涨了5倍以上，闪存价格没这么夸张，相对应的是供需缺口也没这么快，会比内存更快见顶，明年就能缓解了。来自调研机构TrendForce的消息称，虽然服务器占了NAND闪存位元需求的40%以上，但智能手机和平板电脑仍占近40%的份额，因此后者对整体需求依然能产生重大影响。在库存方面，存储制造商的库存水平仍然相对较低，尽管模组制造商的库存因消费市场

2026-07-21

通用DRAM涨价放缓 三星、SK 海力士、美光开启HBM4良率攻坚战

全球三大存储芯片厂商正式开启第四代高带宽内存（HBM4）良率攻坚战。此前通用DRAM涨价为存储企业业绩提供支撑，但如今其涨幅已然放缓，各家企业试图拉高高利润率HBM产品竞争力，以此最大化经营收益。 业内消息显示，三星电子、SK海力士、美光三大存储巨头均在推行HBM4良率提升战略。HBM4是第六代高带宽内存产品，将搭载于英伟达下半年推出的AI加速芯片Vera Rubin等产品中。 三家企业里

2026-07-21

4个跌停后，存储芯片大牛股，突变

在连吃4个跌停板后，存储芯片板块牛股德明利今日再度低开，盘初跌停。随着半导体、存储芯片等板块大幅反弹，德明利盘中打开跌停板，股价大幅拉升接近涨停。今日收盘，该股涨5.2%，股价报508元/股，总市值为1152.4亿元。德明利今日换手率达24.62%，因换手率达到20%登上龙虎榜。盘后龙虎榜显示，该股今日净卖出10.53亿元。其中，深股通专用席位买入4.58亿元并卖出4.76亿元，1家机构专用席位净

2026-07-21

内存芯片与存储芯片：技术分野与产业协同的底层逻辑

从晶体管密度到数据持久性：两种芯片的技术本质差异很多人以为内存芯片（DRAM）与存储芯片（NAND Flash）的竞争是速度与容量的博弈，其实不然。二者的技术分野源于晶体管结构的根本差异：DRAM采用单晶体管单电容（1T1C）结构，依赖电容电荷存储数据，需周期性刷新（Refresh Cycle）维持数据，而NAND Flash通过浮栅晶体管（Floating Gate Transistor）实现非