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先进存储制裁加码，看好产业链国产替代本次DRAM修改先进存储定义，工艺节点仍为18nm，存储单元面积及存储密度由24年1 - 雪球

先进存储制裁加码，看好产业链国产替代本次DRAM修改先进存储定义，工艺节点仍为18nm，存储单元面积及存储密度由24年1... - 雪球先进存储制裁加码，看好产业链国产替代 本次DRAM修改先进存储定义，工艺节点仍为18nm，存储单元面积及存🎨J9九游会储密度由24年12月的1ynm变为1xnm，同时增加TSV通孔数限制。（1）18 纳米半间距对应的存储单元面积是从24年12月的0.0019 µm2 变为0.0026µm2（据semiconductor-digest网站，三星1x即18n。

$佰维存储(SH688525)$ 从AI算力建设和AI端侧应用的角度来看，存储技术的需求正在经历多维度的变革与升级，主要 - 雪球

此外，国产存储模组厂商受益于国产化替代加速，在AI算力需求驱动下有望实现技术突破与市场份额提升。--- ### 二、**AI端侧应用对存储的革新需求** 1. **端侧设备存储容量与速度的双重升级** - **AI手机**：支持70亿参数模型的手机需至少14GB内存，16GB DRAM+512GB存储组合成为标配，推动UFS 4.0等高速存储技术普及（读写速度达4200MB/s）。- **AI耳机**：以字节跳动OlaFriend为例，单耳机配备256Mb NOR Flash。

从遍地亏损到不断涨价：谁救了存储芯片

AI对存储应用市场提出新要求从应用市场看，手机、PC是人们熟知的存储应用市场，但AI技术对上述应用市场也提出了新的存储要求。据悉，生成式AI模型——如LLaMA模型，对内存的要求很高。例如，70亿参数的LLaMA模型FP16版本大小约为14GB，而现有的移动设备内存通常不到10GB。vivo副总裁、OS产品副总裁周围也曾坦言，大模型大面积应用的时候，遇📀到的问题非常多。“1B(10亿个)参数的大模型会占内存1GB，7B则占4GB，13B则占用超过7GB，而高端手机的内存是12G。

对照历史， 这轮存储芯片的行情有多大？

而上游存储芯片主要集中在利基类芯片（如容量较小的slc nand/nor flash等）；中游模组厂也主要聚焦于消费级SSD、HDD等，企业级SSD的占比不高。 利基存储的逻辑：海外大厂退出市场（如三星、海力士退出DDR3/...（如AI手机、AIPC）拉动存储需求增长，手机DRAM单机容量预期提升50%-100%，PC端提升40%-80%；叠加传统服务器复苏和数据中心投资增加 所以，周期+成长，聚齐了，这算是科技分支里面有气质🉑的细分了吧。 那个股空间有多大？我们拿佰维存储举。

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新规限制相对较严，基本涵盖了HBM2及更先进的产品；2）针对先进制程的定义：包括①16/14nm及以下的非平面结构（如FinFET或GAA-FET）的逻辑芯片；②128层及以上的NAND芯片；3）DRAM芯片，并满足①内存单元面积小于0.0019um🐞J9九游会2；③内存密度大于0.288Gbit/mm2。本次新规对先进DRAM IC规定有所修正，上一版本法规定义先进DRAM IC为18nm及以下节点（half-pitch）。先进制程及先进封装等领域国产替代进程预计进一步加速，自主可控需。