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迈向3D DRAM的第一步

虽然距离此类DRAM的商业化生产可能还需要数年时间，但目前所采取的这些举措颇具启发性。三维DRAM有两层含义，其中一种已经投入生产。“三维DRAM最常见的应用场景是高带宽内存（HBM），”新思科技高带宽内存接口解决方案高级产品经理Bhavana Chaurasia说道。“HBM为当今高性能数☪️据中心片上系统（SoC）提供了所需的带宽和性能。”但HBM是一种堆叠芯片式内存，并不像三维NAND闪存那样是单片式芯片。如果能将单片三维DRAM芯片应用于HBM架构中，将会立即带来性能提升。

新型三维相变存储在算力领域大有可为，有望重构现有存储市场格局！

新型三维相变存储在算力领域大有可为，有望重构现有存储市场格局！三维相变存储器是一种具有广泛应用前景的存储器，能解决闪存到达其物理极限问题的下一代非易失性存储器的一种产品。三维相变存储器的产业化有望重构现有存储市场格局，注要看点：三维相变存储器通过材料创新和三维堆叠技术，实🚀J9九游会现了存储密度与速度的双重突破，其性能介于传统闪存和内存之间，能满足AI算力网络、数据中心、智能汽车等领域对存储设备的综合性能要求，而现有存储技术在这些方面存在瓶颈。5G、元宇宙等前沿领域快速发展，对底层存储技。

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