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2026-07-25
688766，半年报业绩预增超19倍！
数据是个宝数据宝投资少烦恼今日（7月23日），A股三大指数涨跌不一，上证指数报收3876.78点，上涨0.25%；深证成指上涨0.44%，创业板指上涨0.25%。市场全天成交额约2.21万亿元，较前一交易日缩量4592亿元，收盘上涨个股超4200只，其中128股涨停。盘面上，电网设备板块领涨，能源金属、兵装重组概念、可燃冰等板块跟涨；国家大基金持股、半导体、存储芯片、MCU芯片等板块跌幅居前。5股
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2026-07-25
半导体再现独立行情，千亿封测龙头一度涨停！业绩预增+回购潮+长线资金进场，科技ETF周线转阳
周五（7月24日），在科技板块整体普跌的背景下，半导体产业链午后逆市走强，成为盘中亮点。国内首只科技龙头先锋——科技ETF华宝（515000）场内一度翻红涨超1%，尾盘回落收跌0.67%，周线终结三连阴后转阳。成份股表现分化，封测龙头通富微电一度涨停，收评仍涨9.77%，半导体设备龙头拓荆科技、端侧AI芯片龙头晶晨股份涨超6%。存储芯片、光模块等延续调整，佰维存储下跌5.6%，天孚通信跌超4%，中
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2026-07-25
上市时间确定！长鑫科技，发出提醒
7月23日，长鑫科技发布首次公开发行股票科创板上市公告书提示性公告，经上海证券交易所审核同意，长鑫科技集团股份有限公司发行的人民币普通股股票将于2026年7月27日在上海证券交易所科创板上市，股票代码为688825。公司提醒广大投资者注意首次公开发行股票上市初期的投资风险，理性参与新股交易。业内人士提醒：应关注存储芯片企业实际业绩 理性投资作为存储芯片领域的头部企业，长鑫科技业绩增长势头十分迅猛。
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2026-07-25
三星和SK海力士将在韩国总统访问硅谷期间宣布与美国企业的重大协议
韩国总统府一名高级官员表示，三星电子和SK海力士将在总统李在明访问硅谷期间，公布与美国领先科技公司达成的多项重大协议，涉及金额“非常庞大”。韩国总统府政策室长金容范周四对记者表示，相关公告可能包括新的长期存储芯片供应协议、战略投资伙伴关系及谅解备忘录。他拒绝在企业正式公布前透露交易金额。金容范称，此次总统访问将发挥“催化剂”作用，帮助韩国企业及其美国合作伙伴完成持续已久的谈判。李在明周五将从旧
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2026-07-25
英伟达股价已计入所有利空预期：这种定价逻辑并不合理
英伟达当前股价走势，完全不匹配市场预期今年 83% 的营收涨幅。相反，股价定价仿佛未来两年所有潜在风险都会全部兑现。对于愿意长期布局的投资者而言，当下存在布局机会。 多数半导体投资者追逐未来数年增速有望最快的个股。今年至今英伟达股价仅上涨 10%；而老对手超威（AMD）涨幅达 142%，存储芯片厂商美光受益于 AI 数据中心需求爆发，年内涨幅 213%。费城半导体指数整体上涨 71%。 标
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2026-07-25
今夜！利好突袭，美股直线拉升！但是，存储芯片、光通信集体大跌
【导读】美伊利好突袭中国基金报记者 泰勒大家好啊，今晚简单看一下美股的情况。7月24日晚间，美股三大指数走势分化，道指直线拉升涨近400点，纳斯达克指数上演深“V”行情，随后转涨。科技股更为集中的纳斯达克100指数，盘中一度跌超1%，随后同样上演深“V”行情。AI硬件股为主的费城半导体指数，表现稍差，跌近3%，不过也收复了一些跌幅。美股盘中深“V”的原因，应该与美伊局势有关。消息面上，据三位巴基斯
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2026-07-25
美股开盘：指数涨跌不一 ，存储芯片股下跌
7月24日晚间，美股三大指数开盘后涨跌不一。截至发稿，标普500指数涨0.24%，道指涨0.32%，纳指跌0.38%。大型科技股方面，微软涨1.68%，SpaceX跌1.74%。存储芯片股下跌，SK海力士、闪迪、美光科技跌超3%。大宗商品方面，国际油价回落，美油、布油跌超2%；贵金属走势分化，伦敦金现走跌，伦敦银现上涨。消息面上，当地时间7月24日，伊拉克总理媒体办公室发表声明，称美国方面此前发布
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2026-07-25
智能手机迎涨价潮最高涨千元
本文转自：今晚报智能手机迎涨价潮最高涨千元记者探访天津线下卖场 多重补贴对冲购机压力受全球存储芯片供应紧张影响，新一轮智能手机涨价浪潮席卷消费市场，高中低端机型均不同程度受到波及。眼下正值暑期数码消费旺季，换机需求集中释放，昨日记者走访本市大型数码卖场，实地了解本地市场价格波动情况与市民消费选择。多重优惠并行缓解涨价压力7月24日上午，南开区南马路附近数码卖场内客流络绎不绝，不少年轻消费者驻足体验
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2026-07-25
手机存储芯片检测：精度与效率的双重博弈
手机存储芯片检测：精度与效率的双重博弈在手机存储芯片的制造流程中，检测环节是决定产品良率与可靠性的关键节点。很多人以为，存储芯片检测只需通过常规电性测试即可覆盖所有潜在缺陷，其实不然。实际检测需覆盖从晶圆级到封装级的全流程，涉及参数包括但不限于数据保持时间、读写耐久性、坏块分布密度及突发错误率。这些指标的底层逻辑是：存储单元的物理特性（如氧化层厚度、电荷陷阱密度）与电路设计（如纠错编码效率、电压调
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