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2026-07-19
三星存储芯片：技术壁垒与产业逻辑的深度拆解
从晶圆制程到堆叠架构：三星存储芯片的技术护城河很多人以为三星存储芯片的领先地位源于其半导体制造设备的先进性，其实不然。真正决定其市场统治力的，是其在3D V-NAND堆叠技术与CMOS逻辑工艺的协同优化能力。以2023年量产的第九代V-NAND为例，其单die容量突破1Tb，堆叠层数达300层以上，这一数据背后是三星对原子层沉积（ALD）与深紫外光刻（DUV）的工艺极限突破——通过优化高介电常数（
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2026-07-19
「钱拿走，权留下」，梁文锋用「反资本操作」保住2440亿身价丨氪代表周报
来源：36氪用一杯咖啡的时间，带你快速看懂本周最值得关注的行业大事，快速捕捉科技、商业世界里不能错过的热点新闻。编辑｜木也封面来源｜公开资料A股年内最大IPO长鑫科技开启申购7月16日，国内存储芯片龙头长鑫科技正式在科创板启动申购，证券代码688825，发行价8.66元/股，对应市值约5792亿元，计划募资295亿元，是2026年以来A股最大规模IPO。先从数据来看看这家公司有多火？网下询价阶段，
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2026-07-19
深度产业绑定丨蔚来1.58亿战略重仓长鑫科技，国产汽车半导体闭环成型
2026 年 7 月 15 日，A 股年度最大科技 IPO 落地重磅产业合作，长鑫科技正式披露科创板战略投资者名单，蔚来汽车以 1.58 亿元参与战略配售，成为本次阵容中唯一入选的新能源车企。长鑫科技本次 IPO 募资高达579.19 亿元，是本年度 A 股募资体量最大的硬核科技标的。作为国内唯一实现 DRAM 设计、制造、封测全流程自主可控的 IDM 企业，长鑫科技稳居全球第四大存储芯片厂商，彻
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2026-07-19
内存供给持续告急，Valve 工程师警示芯片短缺愈演愈烈
来源：环球网 【环球网科技综合报道】7月19日消息，据PC Gamer报道，Valve 公司硬件研发团队工程师接受媒体采访时表示，当前全球存储芯片供需失衡带来的内存危机仍在持续加剧，受人工智能产业算力需求拉动，内存相关产品价格或将维持上行态势，消费端硬件成本承压问题短期难以缓解。据介绍，参与 Steam Machine 游戏硬件研发的工程师亚赞・阿尔德海亚特、皮埃尔 - 卢普・格里菲斯在采访中分析
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2026-07-19
日本“股王”一个月腰斩！铠侠领跌半导体板块
来源：环球网 【环球网财经综合报道】7月17日，东京股市上演惊魂一幕。日本存储芯片巨头铠侠控股（Kioxia）股价盘中暴跌16.1%，触及52,110日元的跌停价位。这家刚刚在6月超越丰田汽车登顶日本市值最高企业宝座的半导体龙头，短短一个月内股价较高点已腰斩。数据显示，铠侠6月22日盘中创下112,700日元的历史新高，总市值一度逼近60万亿日元。而截至17日收盘，其市值已蒸发约30万亿日元（约合
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2026-07-19
高盛：从TSMC资本开支上调与ASML业绩上调、CXMT上市看半导体设备产业链投资！
（来源：invest wallstreet） 高盛交易台把当日TMT焦点放在TSMC资本开支上调、ASML业绩后的仓位波动和CXMT上市带来的流动性影响。TSMC把2026年资本开支提高至 600亿—640亿美元，明显高于此前520亿—560亿美元，并表示未来三年资本开支将显著超过过去三年。先进节点、CoWoS和2nm扩产仍是主要投向；ASML业绩与指引强劲，但拥挤仓位使设备和存储板块在利好
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2026-07-19
存储芯片上市公司的技术突围与产业逻辑重构
技术壁垒与产业格局的底层推演很多人以为存储芯片行业的竞争是简单的制程竞赛，其实不然。从DRAM到NAND Flash，底层逻辑始终是架构创新与工艺迭代的协同进化。以某头部上市公司的3D TLC NAND产品为例，其采用176层堆叠技术，单Die容量达1Tb，但真正决定市场话语权的并非单纯堆叠层数，而是电荷捕获层材料与阵列架构的协同优化——通过引入高K介质替代传统氮化硅，将电荷保持时间从10年延长至
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2026-07-19
无法想象，极致割裂，业绩超亮眼却连续跌停，德明利究竟怎么了？
“这是价值事务所的第2174篇原创文章”这一周市场最大的明星股无疑是存储龙头德明利了。公司发布了极其炸裂的中报业绩预告，上半年归母净利润达到了极其惊人的57-65亿，同比更是暴涨49-66倍，这个赚钱能力虽然还赶不上茅台，但是比起五粮液的87.3-92亿已经差不了太多了。但就是这么炸裂的业绩，换来的却是三个跌停，并且是无量一字跌停，为什么市场对于德明利那么好的业绩视而不见，反而当做了暴雷处理呢？原
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2026-07-19
存储芯片价格波动：技术迭代与市场博弈的底层逻辑
存储芯片价格波动：技术迭代与市场博弈的底层逻辑很多人以为存储芯片价格仅由供需关系决定，其实不然。从DRAM到NAND Flash，价格波动本质是技术迭代周期与资本开支节奏的共振。以2023年Q3为例，三星电子宣布削减30%的3D NAND产能，同期美光科技将HBM3E良率从65%提升至82%，这种技术代差直接导致HBM价格单月上涨18%，而传统NAND价格因库存积压继续下探——底层逻辑是：先进制程
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